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J-GLOBAL ID：200903094998505054

窒化ホウ素膜の成膜方法及び成膜装置

Inventor： 加藤 昌浩 ,  嶋津 正 ,  西森 年彦 ,  藤原 敏人 ,  上満 憲二郎
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (4)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003406904
Publication number (International publication number)：2005167114
Application date： Dec. 05, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】 比誘電率、金属拡散防止機能及び機械的強度の特性について高レベルでバランスをとった窒化ホウ素膜を提供する。【解決手段】 酸素を含有する窒化ホウ素膜とし、特に、バリア膜やエッチストップ膜としては4〜15重量%の酸素を含有させ、層間絶縁膜としては10〜30重量%の酸素を含有させた窒化ホウ素膜とする。

Claim (excerpt)：

酸素を含有することを特徴とする窒化ホウ素膜。

IPC (4)：

H01L21/31 ,  C23C16/38 ,  H01L21/318 ,  H01L21/768

FI (4)：

H01L21/31 C ,  C23C16/38 ,  H01L21/318 B ,  H01L21/90 K

F-Term (34)：

4K030AA03 ,  4K030AA07 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA39 ,  4K030FA04 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  5F033HH11 ,  5F033RR05 ,  5F033RR07 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F045AA08 ,  5F045AB15 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EH11 ,  5F045EM10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BF07 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-236529   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-342080   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-182975   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-193001   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化ホウ素膜の成膜方法及び成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-351251   Applicant：三菱重工業株式会社