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J-GLOBAL ID：201003018563405476

結晶が基材端部上に成長しないように基板上にエピタキシャル成長させて窒化物単結晶を製造する方法

Inventor： エリック、オジョ ,  ジャン-ピエール、フォーリー ,  ベルナール、ボーモン
Applicant, Patent owner： リュミログ
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝 ,  浅野 真理
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009539612
Publication number (International publication number)：2010511584
Application date： Dec. 08, 2006
Publication date： Apr. 15, 2010
Summary：

本発明は、窒化物の単結晶を、結晶成長に適した基板上にエピタキシャル成長によって製造する方法であって、前記基板上に、基板端部に単結晶が成長しないようにするのに適したマスクが堆積されている、方法に関する。

Claim (excerpt)：

窒化物の単結晶を、結晶成長に適した基板上にエピタキシャル成長によって製造する方法であって、前記基板の結晶成長面の端部に、基板端部に単結晶が成長しないようにするのに適したマスクを堆積すること、を含む方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

F-Term (35)：

4G077AA02 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭62-097361
  
• シリコン層の製造方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-304927   Applicant：ソニー株式会社
• 化合物半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-011855   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (3)

• 化合物半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-011855   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-097361
  
• シリコン層の製造方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-304927   Applicant：ソニー株式会社