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J-GLOBAL ID：201003025318791014

薄膜キャパシタ

Inventor： ジョン ベネキ ,  石井 雅俊 ,  栗原 和明 ,  山中 一典
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008159406
Publication number (International publication number)：2010003758
Application date： Jun. 18, 2008
Publication date： Jan. 07, 2010
Summary：

【課題】キャパシタ誘電体膜を薄膜化しても容量を確保できる薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】薄膜キャパシタは、基板と、前記基板上に形成された単結晶金属膜よりなる下部電極と、前記下部電極上にエピタキシャルに形成された、膜厚が100nm以下のABO3ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムストロンチウムの単結晶薄膜よりなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを含み、前記キャパシタ絶縁膜はスカンジウム(Sc)を含む。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に形成された単結晶金属膜よりなる下部電極と、 前記下部電極上にエピタキシャルに形成された、膜厚が100nm以下のペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムストロンチウムの単結晶薄膜よりなるキャパシタ誘電体膜と、 前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極と、 を含み、 前記キャパシタ絶縁膜はスカンジウム(Sc)を含むことを特徴とする薄膜キャパシタ

IPC (7)：

H01G 4/33 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01G 4/10

FI (6)：

H01G4/06 102 ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 621B ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/04 C ,  H01G4/10

F-Term (42)：

5E082AB01 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082EE47 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082FG54 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09 ,  5E082PP10 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083HA10 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜キャパシタおよびこれを有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-100595   Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Unusual thickness dependence of permittivity and elastic strain in Sc modified epitaxial (Ba,Sr)TiO3