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J-GLOBAL ID:201003026918602734
シリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤーおよびその製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
八田国際特許業務法人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009089485
Publication number (International publication number):2010037184
Application date: Apr. 01, 2009
Publication date: Feb. 18, 2010
Summary:
【課題】優れた導電性および光特性を有するナノワイヤーを提供する。【解決手段】コア部とシェル部とからなるシリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤーであって、コア部は、結晶性または非晶性のシリコンリッチ酸化物を含み、前記シェル部は、シリカを含む。また、ナノワイヤーの縦軸に沿って、コア部は一列に整列した複数の金属(金、ニッケル、鉄、銀、アルミニウムおよびパラジウムからなる群より選択される少なくとも1種の金属)ナノドットを含み、シェル部はシリコン量子ドットを含む。また、シリコン基板上に金属触媒をコーティングする工程、チャンバーまたはマイクロチャンバーを準備する工程、および前記チャンバーまたは前記マイクロチャンバー内に気体を注入しながら加熱して、前記シリコン基板から拡散または気化したナノワイヤー源を用いてナノワイヤーを形成させる工程、を含む。【選択図】図2a
Claim (excerpt):
シリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤー。
IPC (7):
C01B 33/00
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, H01L 29/06
, H01L 33/34
, H01L 31/10
, H01L 31/04
FI (8):
C01B33/00
, B82B1/00
, B82B3/00
, H01L29/06 601N
, H01L29/06 601D
, H01L33/00 188
, H01L31/10 Z
, H01L31/04 A
F-Term (25):
4G072AA38
, 4G072BB04
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072NN18
, 4G072UU02
, 4G072UU03
, 5F041AA03
, 5F041CA21
, 5F041CA33
, 5F041CA54
, 5F041CA67
, 5F041CB36
, 5F049MB02
, 5F049NA01
, 5F049PA01
, 5F051AA01
, 5F051CB01
, 5F051CB30
, 5F051GA04
, 5F151AA01
, 5F151CB01
, 5F151CB30
, 5F151GA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
金属ナノドットを含むナノワイヤ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-298163
Applicant:三星電子株式会社
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酸化珪素のナノワイヤの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-342408
Applicant:科学技術振興事業団
-
シリコンナノワイヤおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-032977
Applicant:三星電子株式会社
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