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J-GLOBAL ID:201003040347060931
薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (3):
三好 秀和
, 伊藤 正和
, 原 裕子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009046233
Publication number (International publication number):2010016348
Application date: Feb. 27, 2009
Publication date: Jan. 21, 2010
Summary:
【課題】活性層の界面特性が向上できる薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁層によって前記ゲート電極と絶縁され、酸化物半導体からなる活性層と、前記活性層と連結されるソース電極及びドレイン電極と、前記活性層の上部面及び下部面のうちの少なくとも一面に形成された界面安定化層とを有し、前記界面安定化層は3.0〜8.0eVのバンドギャップを有する酸化物からなる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
ゲート絶縁層によって前記ゲート電極と絶縁され、酸化物半導体からなる活性層と、
前記活性層と連結されるソース電極及びドレイン電極と、
前記活性層の上部面及び下部面のうちの少なくとも一面に形成された界面安定化層とを有し、
前記界面安定化層は3.0〜8.0eVのバンドギャップを有する酸化物からなる薄膜トランジスタ。
IPC (4):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136
, G09F 9/30
FI (9):
H01L29/78 618E
, H01L29/78 613Z
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618F
, H01L29/78 618G
, H01L29/78 627C
, H01L29/78 618A
, G02F1/1368
, G09F9/30 338
F-Term (50):
2H092GA29
, 2H092JA26
, 2H092JA46
, 2H092KA07
, 2H092KA10
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092MA04
, 2H092MA05
, 2H092MA13
, 2H092MA27
, 2H092NA21
, 5C094AA21
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094FB02
, 5C094FB20
, 5C094JA02
, 5F110AA14
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG43
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110NN02
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110QQ09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-079273
Applicant:シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
-
クロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-273037
Applicant:三星電子株式会社
-
有機電界発光表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-094274
Applicant:富士フイルム株式会社
-
薄膜トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-086175
Applicant:ミノルタ株式会社
-
薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-148842
Applicant:富士フイルム株式会社
-
薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-076493
Applicant:富士フイルム株式会社
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