高分子膜及びその利用

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩谷龍
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008328539
Publication number (International publication number)：2010149026
Application date： Dec. 24, 2008
Publication date： Jul. 08, 2010
Summary：

【課題】実用に供する圧力差において、二酸化炭素と水素とを高い選択性をもって分離する高分子膜を提供する。【解決手段】式(1)M(OR1)nで示される架橋剤を有するポリビニルアルコール内に、式(2)(式中、A1は炭素数1〜3の二価有機残基を示し、pは0又は1の整数を示す。)、式(3)(式中、A2は炭素数1〜3の二価有機残基を示しqは0又は1の整数を示す。)、さらに特定の式で示される基を有するアミン化合物が固定化されてなる高分子膜。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

式(1) M(OR1)n (1) (式中、Mは三価以上の金属原子を示し、nは3〜6の整数を示し、R1は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルケニル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、炭素数2〜7のアシル基、式-NHR2で示される基(式中、R2は、炭素数1〜6のアルキル基を示す。)、式-NR3R4で示される基(式中、R3及びR4は、独立に、同一又は異なって、炭素数1〜6のアルキル基を示す。)、式-C(O)-NHR5で示される基(式中、R5は、同一又は異なって、炭素数1〜6のアルキル基を示す。)、式-C(O)-NR6R7で示される基(式中、R6及びR7は、独立に、同一又は異なって、炭素数1〜6のアルキル基を示す。)、又は、1〜3個の酸素原子、窒素原子若しくは硫黄原子を含む5〜10員複素環基を示し、これらは互いに結合して環構造を形成していてもよく、これらの基又は環は置換基を有していてもよい。) で示される架橋剤で架橋されてなる、架橋部分と結晶部分とを有するポリビニルアルコール内に、式(2)

IPC (4)：

B01D 71/38 , B01D 53/22 , B01D 71/82 , C08F 8/32

FI (5)：

B01D71/38 , B01D53/22 , B01D71/82 , B01D71/82 510 , C08F8/32

F-Term (27)：

4D006GA41 , 4D006MA06 , 4D006MB04 , 4D006MC33X , 4D006MC71X , 4D006MC88 , 4D006NA01 , 4D006NA23 , 4D006NA26 , 4D006NA44 , 4D006NA46 , 4D006NA64 , 4D006PA01 , 4D006PB19 , 4D006PB64 , 4D006PC31 , 4J100AD02P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA31 , 4J100DA01 , 4J100HA61 , 4J100HC12 , 4J100HC43 , 4J100HC84 , 4J100JA15 , 4J100JA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

消耗電極アーク溶接電源の出力制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-248982 Applicant：株式会社ダイヘン
水溶性混合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-382957 Applicant：松本製薬工業株式会社
表面導電性材料の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-242986 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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