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J-GLOBAL ID：201003033212094104

量子干渉トランジスタとその製造及び動作方法

Inventor： 申 在光 ,  徐 順愛 ,  金 鍾燮 ,  洪 起夏 ,  鄭 現鍾
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (4)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009235199
Publication number (International publication number)：2010093268
Application date： Oct. 09, 2009
Publication date： Apr. 22, 2010
Summary：

【課題】量子干渉トランジスタとその製造及び動作方法を提供する。【解決手段】量子干渉トランジスタとその製造及び動作方法について開示されている。該量子干渉トランジスタは、経路差を有する複数のチャンネルと、チャンネルのうち、少なくとも一つに設けられたゲートとを含む。該チャンネルは、グラフェンシートである。該経路差は、チャンネルを経由する電子の波動が、ドレインで相殺干渉または補強干渉を起こす経路差でありうる。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

ソースと、 ドレインと、 前記ソース及びドレイン間に経路差を有するチャンネルと、 前記チャンネルのうち、少なくとも一つにゲートとが備わっており、 前記チャンネルは、グラフェンシートである量子干渉トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (4)：

H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617K

F-Term (9)：

5F110AA16 ,  5F110BB13 ,  5F110CC10 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG23 ,  5F110HK01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平2-234474
  
• 特開平3-196573
  
• 記憶素子、記憶装置および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-031818   Applicant：シャープ株式会社
• 電子流制御素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-194533   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• 特開平2-044735
  
• トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-263943   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 電子波干渉素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-342334   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• AB効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-017144   Applicant：日本電気株式会社