Pat

J-GLOBAL ID：201003033220355588

色素増感光電変換素子の製造方法

Inventor： 小倉 麗子 ,  鈴木 祐輔 ,  諸岡 正浩 ,  野田 和宏
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (3)： 森 幸一 ,  吉井 正明 ,  山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010062404
Publication number (International publication number)：2010177197
Application date： Mar. 18, 2010
Publication date： Aug. 12, 2010
Summary：

【課題】逆電子移動を防止することができる色素増感光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】透明導電性基板101上に半導体電極102を形成し、この半導体電極102の表面に色素103を吸着させる。表面に色素103が吸着した半導体電極102と対極104とを対向させ、それらの間に添加剤105を含む電解液106を封入し、色素増感太陽電池を製造する。添加剤105は、吸着の結果、半導体電極102の表面の露出を抑えることができるものを用いる。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

表面に色素が吸着した半導体電極と対極との間に添加剤を含む電解液を封入する工程を有する色素増感光電変換素子の製造方法。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (8)：

5F051AA20 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB10 ,  5H032CC16 ,  5H032EE11 ,  5H032EE16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 色素増感型太陽電池及び色素増感型太陽電池用酸化物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-073213   Applicant：株式会社東芝
• 化学修飾半導体電極、並びに、その製造方法及びそれを用いた光電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-163486   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 高分子固体電解質及び光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-105664   Applicant：ソニー株式会社
• 色素増感光電変換素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-320273   Applicant：ソニー株式会社