終端構造及びトレンチ金属酸化膜半導体素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小池晃 , 伊賀誠司 , 藤井稔也 , 野口信博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010044627
Publication number (International publication number)：2010157761
Application date： Mar. 01, 2010
Publication date： Jul. 15, 2010
Summary：

【課題】パワートレンチMOS素子の終端構造を開示する。【解決手段】MOS素子は、準備される半導体基板に応じて、IGBT、DMOSのいずれであってもよい。終端構造は、トレンチ220と、このトレンチ220の側壁にスペーサとして形成されたMOSゲート240と、スペーサ及び第2のトレンチ220の底面の一部を覆うように形成された終端構造酸化層245と、半導体基板の背面及び表面260にそれぞれ形成された第1及び第2の電極とを備える。トレンチは、活性領域の境界から半導体基板の端部に亘って形成される。トレンチMOS素子は、活性領域に形成される。第2の電極は、導電層間酸化層を介して、活性領域及びスペーサに接続し、空乏領域の湾曲領域が活性領域の境界から所定の長さ離間するように、活性領域、スペーサ及び終端構造酸化層の一部を覆うように形成されている。【選択図】図11

Claim (excerpt)：

トレンチ金属酸化膜半導体素子用の終端構造及びトレンチ金属酸化膜半導体素子において、第1のトレンチ及び第2のトレンチが形成された半導体基板と、上記第1のトレンチ内に形成された第1の金属酸化膜半導体ゲート及び上記第2のトレンチの側壁にスペーサとして形成された第2の金属酸化膜半導体ゲートと、上記スペーサの一部及び上記第2のトレンチの底面を覆うように該第2のトレンチ内に形成された終端構造酸化層と、上記半導体基板の背面に第1の電極を形成し、該半導体基板の表面に第2の電極を形成する導電層とを備え、上記第2の電極は、導電層間酸化層を介して、上記活性領域及び上記スペーサに接続し、空乏領域の湾曲領域が該活性領域の境界から所定の長さ離間するように、該活性領域、該スペーサ及び上記終端構造酸化層の一部を覆うように形成され、上記第1のトレンチは、活性領域内に形成され、上記第2のトレンチは、該活性領域の境界から上記半導体基板の端部に亘って形成され、上記半導体基板は、最上面に形成され、p型導電性不純物が高濃度にドープされた第1の層と、該第1の層の下層に形成され、p型導電性不純物が低濃度にドープされた第2の層と、該第2の層の下層に形成され、n型導電性不純物が低濃度にドープされた第3の層と、該第3の層の下層に形成され、n型導電性不純物が高濃度にドープされたベース基板と、該第1の層の内部及び該第2の層の上部にn型導電性不純物を高濃度にドープして形成された複数の領域とを備える二重拡散金属酸化膜半導体素子用の半導体基板であることを特徴とする終端構造及びトレンチ金属酸化膜半導体素子。

IPC (5)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (7)：

H01L29/78 652P , H01L29/78 653C , H01L29/78 655A , H01L29/48 F , H01L29/48 E , H01L29/06 301M , H01L29/06 301G

F-Term (9)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104DD43 , 4M104FF10 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

縦型MOSトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-303981 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-256369
炭化ケイ素横形高耐圧MOSFET
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-017612 Applicant：富士電機株式会社

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Cited by examiner (6)

縦型MOSトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-303981 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-256369
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-017612 Applicant：富士電機株式会社

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