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J-GLOBAL ID：201003036119441030

反射防止膜の成膜方法及び反射防止膜並びに成膜装置

Inventor：
高橋 明久

About 高橋 明久

, 
石橋 暁

About 石橋 暁


Applicant, Patent owner：
株式会社アルバック

About 株式会社アルバック


Agent (2)： 志賀 正武 ,  鈴木 慎吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008209208
Publication number (International publication number)：2010043334
Application date： Aug. 15, 2008
Publication date： Feb. 25, 2010
Summary：
【課題】酸化亜鉛系ターゲットを使用し、酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される2種または3種を含む反応性ガス中の各々のガスの比を変化させてスパッタすることにより、屈折率の異なる複数の屈折率層を積層し、所望の反射防止性能を得ることが可能な酸化亜鉛系の反射防止膜の成膜方法及び反射防止膜並びに成膜装置を提供する。【解決手段】本発明の反射防止膜の成膜方法は、ガス導入手段35を用いて、成膜室23内を酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される2種または3種を含む第1の反応性ガス雰囲気として第1の酸化亜鉛系薄膜を成膜し、次いで、この成膜室23内を酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される2種または3種を含みかつ第1の反応性ガスと異なる組成の第2の反応性ガス雰囲気として第1の酸化亜鉛系薄膜上に第2の酸化亜鉛系薄膜を成膜する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
第1の酸化亜鉛系薄膜上に第2の酸化亜鉛系薄膜を積層してなる反射防止膜の成膜方法であって、 酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される2種または3種を含む第1の反応性ガス中にて第1の酸化亜鉛系ターゲットを用いたスパッタリングにより、第1の酸化亜鉛系薄膜を成膜する第1の成膜工程と、 前記第1の酸化亜鉛系薄膜上に、酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される2種または3種を含みかつ前記第1の反応性ガスと異なる組成の第2の反応性ガス中にて第2の酸化亜鉛系ターゲットを用いたスパッタリングにより、第2の酸化亜鉛系薄膜を成膜する第2の成膜工程と、 を有することを特徴とする反射防止膜の成膜方法。
IPC (2)：
C23C 14/08 ,  G02B 1/11
FI (2)：
C23C14/08 C ,  G02B1/10 A
F-Term (13)：
2K009AA02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  4K029DC05 ,  4K029DC15 ,  4K029DC39 ,  4K029EA05 ,  4K029JA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 反射防止膜付基板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-272172   Applicant：双葉電子工業株式会社
  • 多層反射防止膜
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-239371   Applicant：キヤノン株式会社
Cited by examiner (2)

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