カーボンナノチューブ分散体、それを用いた膜、およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009016774
Publication number (International publication number)：2010173884
Application date： Jan. 28, 2009
Publication date： Aug. 12, 2010
Summary：

【課題】本発明は分散性能および塗布性能に優れたカーボンナノチューブ分散体およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブを含有する組成物の製造方法は、カーボンナノチューブと分散媒体を含むスラリー状組成物を、加圧下にノズルから噴射して、噴射流を相互衝突あるいは壁面衝突させて製造することを特徴とする。また、本発明に係るカーボンナノチューブを含有する組成物は、SEM画像解析による測定値から算出される平均長径が0.4〜5000nmであり、平均長径の変動係数(CV値)が40%以下であるカーボンナノチューブと、分散媒体を含むカーボンナノチューブ分散体であることを特徴とする。本願の組成物を用いて前記課題を解決できることを見出した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブと分散媒体を含むスラリー状組成物を、加圧下にノズルから噴射して、噴射流を相互衝突あるいは壁面衝突させてカーボンナノチューブ分散体を製造する方法。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (9)：

4G146AA12 , 4G146AB06 , 4G146AB07 , 4G146AC03A , 4G146AC03B , 4G146AD28 , 4G146CB10 , 4G146CB11 , 4G146CB17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

炭素材料薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-236314 Applicant：NOK株式会社
カーボンナノチューブの破断方法およびカーボンナノチューブ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-193438 Applicant：ナノフロンティア株式会社
不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-355977 Applicant：国立大学法人大阪大学

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