透明トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009213211
Publication number (International publication number)：2010147458
Application date： Sep. 15, 2009
Publication date： Jul. 01, 2010
Summary：

【課題】透明度及び導電性を向上させることができる積層構造を有することによって、最適化された透明トランジスタを提供する。【解決手段】本発明による透明トランジスタは、基板と、下部透明層、金属層及び上部透明層の多層構造を有し、前記基板上に形成されているソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成されているチャネルと、前記チャネルと整列されているゲート電極とを含み、前記下部透明層または上部透明層が前記チャネルと同一の透明半導体層で形成されている。したがって、多層の透明導電膜を活用して透明度及び導電性を確保しながら、ソース/ドレイン電極と半導体との接触抵抗問題を解決し、薄膜蒸着時に追加される工程に比べてパターニング工程を減少することができ、工程の効率性を高めることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、下部透明層、金属層及び上部透明層の多層構造を有し、前記基板上に形成されているソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成されているチャネルと、前記チャネルと整列されているゲート電極とを含み、前記下部透明層または上部透明層が前記チャネルと同一の透明半導体層で形成されている透明トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417

FI (10)：

H01L29/78 616U , H01L29/78 617L , H01L29/78 616V , H01L29/78 617U , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L29/50 M

F-Term (37)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE14 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110HK02 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-273863 Applicant：キヤノン株式会社
表示装置用配線、これを含む薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-145641 Applicant：三星電子株式会社
液晶表示装置用電極板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-223686 Applicant：凸版印刷株式会社

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