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J-GLOBAL ID：200903002415722425

ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置

Inventor：
林 享

About 林 享

, 
加地 信幸

About 加地 信幸

, 
薮田 久人

About 薮田 久人


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (2)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007273863
Publication number (International publication number)：2008166716
Application date： Oct. 22, 2007
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：
【課題】ソース電極及びドレイン電極のエッチング工程においてオン・オフ比の良好なTFT特性を安定して実現する酸化物半導体を用いたボトムゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置を提供する。【解決手段】基板1上に、ゲート電極2と、ゲート絶縁膜としての第1の絶縁膜3と、チャネル層としての酸化物半導体層4と、保護層としての第2の絶縁膜5と、ソース電極6と、ドレイン電極7とを有するボトムゲート型薄膜トランジスタであって、酸化物半導体層4は、In、Zn及びSnの少なくとも一つを含む酸化物であり、第2の絶縁膜5は、酸化物半導体層4と接するよう形成されたアモルファス酸化物絶縁体であり、昇温脱離分析により酸素として観測される脱離ガスを3.8×1019個/cm3以上含有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜としての第1の絶縁膜と、チャネル層としての酸化物半導体層と、保護層としての第2の絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極とを有するボトムゲート型薄膜トランジスタであって、 前記酸化物半導体層は、In、Zn及びSnの少なくとも一つを含む酸化物を含み、 前記第2の絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接するよう形成されたアモルファス酸化物絶縁体を含み、昇温脱離分析により酸素として観測される脱離ガスを3.8×1019個/cm3以上、含有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (1)：
H01L 29/786
FI (2)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A
F-Term (34)：
5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE15 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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