Pat
J-GLOBAL ID：200903045174981425

薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置

Inventor：
板井 雄一郎

About 板井 雄一郎


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008076493
Publication number (International publication number)：2009231613
Application date： Mar. 24, 2008
Publication date： Oct. 08, 2009
Summary：
【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつ動作安定性が改良されたTFTを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間に、アモルファス酸化物を含む膜厚3nm以上の抵抗層を有し、前記活性層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップより小さいことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間に、アモルファス酸化物を含み厚みが3nmを超える抵抗層を有し、前記活性層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップより小さいことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50
FI (5)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A
F-Term (49)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB08 ,  3K107CC21 ,  3K107DD17 ,  3K107EE04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM