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J-GLOBAL ID：201003044995657124

中空微粒子の製造方法

Inventor： 佐藤 岳彦 ,  大泉 雅伸 ,  中谷 達行 ,  阿部 義紀
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学 ,  トーヨーエイテック株式会社
Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009030227
Publication number (International publication number)：2010184201
Application date： Feb. 12, 2009
Publication date： Aug. 26, 2010
Summary：

【課題】中空微粒子を簡単に製造する新規な中空微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】液体80中において電極20,30間に交流電圧またはパルス状電圧を印加し、電気分解、熱分解及び相転移の少なくとも一つによって径が1nm以上1μm以下の気泡を発生させる工程と、気泡の気液界面に前記外殻部分を構成する材料を集合させて外殻部分を形成する工程とを含む中空微粒子の製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

外殻部分と中空な中心部分とからなる中空微粒子を液体中において製造する中空微粒子の製造方法であって、 液体中において電極間に交流電圧またはパルス状電圧を印加し、電気分解、熱分解及び相転移の少なくとも一つによって径が1nm以上1μm以下の気泡を発生させる工程Aと、 気泡の気液界面に前記外殻部分を構成する材料を集合させて該外殻部分を形成する工程Bと を含む、中空微粒子の製造方法。

IPC (1)：

B01J 13/04

FI (1)：

B01J13/02 A

F-Term (9)：

4G005AA02 ,  4G005AB13 ,  4G005BA20 ,  4G005BB19 ,  4G005CA01 ,  4G005DA01Y ,  4G005DB22X ,  4G005EA03 ,  4G005EA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

• ナノカプセルの製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224121   Applicant：川島嘉明, シンテツクス(ユー・エス・エイ)インコーポレイテツド
• 加圧式オゾン処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-031689   Applicant：株式会社日立製作所
• 超音波を利用した微小気泡発生法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-308252   Applicant：竹村文男, 幕田寿典, 松本洋一郎
• ナノバブルの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-062044   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社REO研究所
• モータの過負荷状態判別方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-331787   Applicant：住友重機械工業株式会社
• 均一径を持つ微小気泡発生法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-310353   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 液中プラズマ発生装置および液中プラズマ発生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-339641   Applicant：株式会社テクノネットワーク四国
• 再公表2004/094306号公報
  
• 気泡発生装置および気泡発生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-080096   Applicant：国立大学法人東北大学, トーヨーエイテック株式会社
• 水素ガスの発生方法および水素ガス発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-218552   Applicant：水野忠彦, 荒木正雄
• 中空マイクロカプセルの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-204895   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 国立大学法人東京大学

Cited by examiner (4)

• 水素ガスの発生方法および水素ガス発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-218552   Applicant：水野忠彦, 荒木正雄
• 気泡発生装置および気泡発生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-080096   Applicant：国立大学法人東北大学, トーヨーエイテック株式会社
• ナノバブルの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-062044   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社REO研究所
• 中空マイクロカプセルの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-204895   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 国立大学法人東京大学