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J-GLOBAL ID:201003046009688877

熱電変換素子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009042056
Publication number (International publication number):2010199276
Application date: Feb. 25, 2009
Publication date: Sep. 09, 2010
Summary:
【課題】本発明は高い可撓性、発電効率および耐久性を有する熱電変換素子を、効率よく製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】支持体上に、p型半導体素子、n型半導体素子および絶縁体を有する熱電変換素子において、前記p型半導体素子および前記n型半導体素子を塗布または印刷により形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。【選択図】図2
Claim (excerpt):
支持体上に、p型半導体素子、n型半導体素子および絶縁体を有する熱電変換素子において、前記p型半導体素子および前記n型半導体素子を塗布または印刷により形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
IPC (2):
H01L 35/34 ,  H01L 35/24
FI (2):
H01L35/34 ,  H01L35/24
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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