ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (4)：三好秀和 , 寺山啓進 , 三好広之 , 伊藤市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009123102
Publication number (International publication number)：2010232623
Application date： May. 21, 2009
Publication date： Oct. 14, 2010
Summary：

【課題】異種基板上へZnO系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。【解決手段】異種基板40上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層42を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化II族金属と酸素原料を用いて、ZnO系半導体層44,46を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

異種基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上にハロゲン化II族金属と酸素原料を用いて酸化亜鉛系半導体層を結晶成長する工程とを有することを特徴とするヘテロエピタキシャル成長方法。

IPC (6)：

H01L 21/365 , H01L 33/28 , C30B 29/22 , C30B 25/18 , C30B 29/16 , C23C 16/40

FI (6)：

H01L21/365 , H01L33/00 182 , C30B29/22 Z , C30B25/18 , C30B29/16 , C23C16/40

F-Term (64)：

4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077BC60 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077EC09 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077EF03 , 4G077EG22 , 4G077EG25 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TA11 , 4G077TB03 , 4G077TC02 , 4G077TC06 , 4G077TC13 , 4G077TC19 , 4G077TD02 , 4G077TH06 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4K030AA14 , 4K030BA47 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA12 , 5F041CA03 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F045AA02 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB22 , 5F045AB31 , 5F045AC11 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AD08 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DP04 , 5F045DQ08 , 5F045EC01 , 5F045EE01 , 5F045EF09 , 5F045EK06 , 5F045GB11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

酸化亜鉛薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-087671 Applicant：東洋インキ製造株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-257781 Applicant：シチズン東北株式会社, 国立大学法人岩手大学
Zn系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-317354 Applicant：信越半導体株式会社

Cited by examiner (1)

酸化亜鉛薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-087671 Applicant：東洋インキ製造株式会社

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