絶縁性被膜の形成方法および半導体装置の製造方法。

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009025764
Publication number (International publication number)：2010087458
Application date： Feb. 06, 2009
Publication date： Apr. 15, 2010
Summary：

【課題】化学酸化膜形成法により、厚膜の絶縁被膜形成にも応じることの可能な半導体への絶縁性被膜の形成方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法を実現する。【解決手段】酸化性溶液内に、表面に酸化シリコンを含む被膜形成用基材とシリコン又はシリコン含有固体またはシリコンを含む膜で覆われた固体とを浸漬して、前記酸化性溶液の沸点以下の温度で加熱して、前記基材上に稠密な酸化シリコン膜を形成することにより、被処理用シリコン基板1上に厚膜の酸化シリコン膜4を化学的形成法で実現して、絶縁性被膜の形成並びにそれを用いた半導体装置の製造を実用的短時間で達成することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

沸点以下の温度の酸化性溶液内に、酸化シリコン膜形成用基材とシリコン又はシリコン含有固体もしくはシリコンを含む膜で覆われた固体とを浸漬して、前記基材上に稠密な酸化シリコン膜を形成することを特徴とする絶縁性被膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L21/316 G , H01L29/78 301G , H01L21/316 U

F-Term (13)：

5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA10 , 5F140BA13 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平3-022551
スピンオンガラスによるシリコン酸化膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-198243 Applicant：三星電子株式会社

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