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J-GLOBAL ID：201003059415397977

半導体ナノクリスタルを含む光起電力デバイス

Inventor： アレクイ アランゴ ,  ブラドイミル ブロビク ,  バネッサ ウォオド ,  モウンギ ジー.バウエンドイ
Applicant, Patent owner： マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー
Agent (1)： 石川 徹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010514708
Publication number (International publication number)：2010531549
Application date： Jun. 25, 2007
Publication date： Sep. 24, 2010
Summary：

光起電力デバイスは、半導体ナノクリスタル及び無機物質を含む電荷輸送層を含む。該電荷輸送層は、正孔輸送層又は電子輸送層であることができる。該無機物質は、無機半導体であることができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

光起電力デバイスであって、 第一電荷輸送層に電荷を導入するように配置された第一電極と接触している、第一無機物質を含有した第一電荷輸送層、 第二電荷輸送層に電荷を導入するように配置された第二電極と接触している、第二電荷輸送層、 該第一電荷輸送層と該第二電荷輸送層との間に配置された複数の半導体ナノクリスタルを含む、前記光起電力デバイス。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (9)：

5F151AA08 ,  5F151AA09 ,  5F151CB13 ,  5F151CB15 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-019702   Applicant：京セラ株式会社
• 薄膜太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-078196   Applicant：京セラ株式会社