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J-GLOBAL ID：200903072870965300

薄膜太陽電池

Inventor： 新楽 浩一郎 ,  白間 英樹 ,  奥井 宏樹 ,  田中 政博
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002078196
Publication number (International publication number)：2003282902
Application date： Mar. 20, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体接合部の凹凸構造に起因して素子の電気特性が低下するという従来の問題を解消しつつ、高い光利用効率を実現できる光閉じ込め構造を有した薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 透光性基板11、第1の透明導電膜12、少なくともひとつの半導体接合を有する半導体多層膜13、第2の透明導電膜14、および金属膜15aが順次積層された薄膜太陽電池であって、上記第1の透明導電膜12と半導体多層膜13との界面の凹凸の最大高さRmaxが上記第2の透明導電膜14と金属膜15aとの界面の凹凸の最大高さRmaxよりも小さいことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

透光性基板、第1の透明導電膜、少なくともひとつの半導体接合を有する半導体多層膜、第2の透明導電膜、および金属膜が順次積層された薄膜太陽電池において、前記第1の透明導電膜と半導体多層膜との界面の凹凸の最大高さRmaxが、前記第2の透明導電膜と金属膜との界面の凹凸の最大高さRmaxよりも小さいことを特徴とする薄膜太陽電池。

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 H

F-Term (19)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051GA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭62-209872
  
• シリコン系薄膜光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-034453   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• 太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-223477   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭61-216489
  
• 透明電極基板及びその作製方法並びに光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-316223   Applicant：三洋電機株式会社
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-140692   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 透明導電性薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-083967   Applicant：旭硝子株式会社
• シリコン系薄膜光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-058172   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• 薄膜太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242508   Applicant：鐘淵化学工業株式会社