Pat
J-GLOBAL ID:201003060187360411
ポリ擬ロタキサンの製造方法、架橋体の製造方法及びポリマーの回収方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (4):
杉村 憲司
, 来間 清志
, 澤田 達也
, 冨田 和幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009060235
Publication number (International publication number):2010209301
Application date: Mar. 12, 2009
Publication date: Sep. 24, 2010
Summary:
【課題】原料ポリマーを容易に回収することが可能なポリ擬ロタキサンの製造方法及び該原料ポリマーの回収方法を提供する。【解決手段】環状構造を複数有するポリマーに、次式(I):(R1-R2-N+H2-R3-X)・Y-(式中、R1は前記ポリマーの環状構造の空洞部よりも嵩高い基であり、R2及びR3はそれぞれ独立して二価の炭化水素基、二価の芳香族基又はそれらを複合してなる原子団であって、ヘテロ原子を含んでもよく、Xは水酸基、一級アンモニウム塩又はカルボキシル基であり、Y-は一価の陰イオンである)で表されるアンモニウム塩を該アンモニウム塩のX側から貫通させることを特徴とするポリ擬ロタキサンの製造方法である。また、該方法によって得たポリ擬ロタキサンからなる架橋体を脱架橋させることを特徴とするポリマーの回収方法である。【選択図】図2
Claim (excerpt):
環状構造を複数有するポリマーに、下記式(I):
(R1-R2-N+H2-R3-X)・Y- ・・・ (I)
(式中、R1は最安定配座で上記ポリマー中の環状構造の空洞部よりも嵩高い基であり、R2及びR3はそれぞれ独立して二価の炭化水素基、二価の芳香族基又はそれらを複合してなる原子団であって、ヘテロ原子を含んでもよく、Xは水酸基、一級アンモニウム塩又はカルボキシル基であり、Y-は一価の陰イオンである)で表されるアンモニウム塩を該アンモニウム塩のX側から貫通させることを特徴とするポリ擬ロタキサンの製造方法。
IPC (6):
C08L 67/02
, C08G 85/00
, C08G 63/672
, C08G 18/65
, C08L 75/04
, C08K 5/17
FI (6):
C08L67/02
, C08G85/00
, C08G63/672
, C08G18/65 D
, C08L75/04
, C08K5/17
F-Term (60):
4J002CF031
, 4J002CF061
, 4J002CF101
, 4J002CK021
, 4J002DH006
, 4J002EN006
, 4J002EP026
, 4J029AA03
, 4J029AB04
, 4J029AC01
, 4J029AC03
, 4J029AD10
, 4J029BF17
, 4J029BF23
, 4J029CA06
, 4J029CB06A
, 4J029HA01
, 4J029HB05
, 4J029JC231
, 4J029JE022
, 4J029JE182
, 4J029KH01
, 4J029KH08
, 4J031BA07
, 4J031BA09
, 4J031BA11
, 4J031BA28
, 4J031BA29
, 4J031BB01
, 4J031BB02
, 4J031BB03
, 4J031BC17
, 4J031BC19
, 4J031CA37
, 4J031CD01
, 4J034BA08
, 4J034CA04
, 4J034CC37
, 4J034CC46
, 4J034CC54
, 4J034CC62
, 4J034CC65
, 4J034DA01
, 4J034DB04
, 4J034DB07
, 4J034DC50
, 4J034DG06
, 4J034DG08
, 4J034HA01
, 4J034HA07
, 4J034HC12
, 4J034HC64
, 4J034HC67
, 4J034HC71
, 4J034JA02
, 4J034KC17
, 4J034KD02
, 4J034LA01
, 4J034LA32
, 4J034LA36
Patent cited by the Patent:
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