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J-GLOBAL ID:201003061149994705
二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
青木 篤
, 鶴田 準一
, 水谷 好男
, 河合 章
, 遠藤 力
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009251256
Publication number (International publication number):2010109372
Application date: Oct. 30, 2009
Publication date: May. 13, 2010
Summary:
【課題】磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも2つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。【解決手段】磁気トンネル接合構造は、固定された磁化方向を有する第1磁性層10と、反転可能な磁化方向を有する第2磁性層30と、第1磁性層10と第2磁性層30との間に形成される非磁性層20と、第2磁性層30との磁性結合により第2磁性層30の磁化方向を第2磁性層30の平面に対して傾斜させ、垂直磁気異方性エネルギーが水平磁気異方性エネルギーより大きい第3磁性層40と、第2磁性層30と第3磁性層40との間に形成され、第2磁性層30と第3磁性層40が異なる結晶配向性を有するように分離する結晶構造分離層50とを含む。【選択図】図1
Claim (excerpt):
固定された磁化方向を有する第1磁性層と、
反転可能な磁化方向を有する第2磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に形成される非磁性層と、
前記第2磁性層との磁性結合により前記第2磁性層の磁化方向を前記第2磁性層の平面に対して傾斜させ、垂直磁気異方性エネルギーが水平磁気異方性エネルギーより大きい第3磁性層と、
前記第2磁性層と前記第3磁性層との間に形成され、前記第2磁性層と前記第3磁性層が異なる結晶配向性を有するように分離する結晶構造分離層と
を含むことを特徴とする磁気トンネル接合構造。
IPC (4):
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 29/82
FI (4):
H01L43/08 M
, H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
, H01L29/82 Z
F-Term (31):
4M119AA03
, 4M119AA06
, 4M119BB01
, 4M119CC05
, 4M119DD05
, 4M119DD06
, 4M119DD09
, 4M119DD17
, 5F092AA01
, 5F092AA02
, 5F092AA08
, 5F092AB06
, 5F092AB10
, 5F092AC12
, 5F092AD22
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BE06
, 5F092BE13
, 5F092BE14
Patent cited by the Patent:
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