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J-GLOBAL ID:201003066750105510
プリズムアセンブリの製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小林 和憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009011268
Publication number (International publication number):2010170606
Application date: Jan. 21, 2009
Publication date: Aug. 05, 2010
Summary:
【課題】光硬化型接着剤の照射を妨げる光学薄膜がある場合に、高精度で小型のプリズムアセンブリを効率良く製造する。【解決手段】まず、重ねあわせ面に光学薄膜が介在するように、1枚の透明な厚板42上に薄板41a,41bを重ね合わせたユニット51aを、複数ユニット分重ね合わせ、光硬化型接着剤を光照射により硬化させて基板接合体51を作製する。次に、基板接合体51の各々の重ね合わせ面と一定角度で交差する方向に一定ピッチで切断し、この切断による表裏面に厚板42の切断面と薄板41a,41bの切断面とが層状に露呈した接合基板を作製する。また、厚板42からなる部分の中央を通るように、厚板42の切断面に沿って、表面に対して垂直に接合基板を切断し、複数の角柱状基板を作製する。そして、角柱状基板を長手方向と垂直に一定ピッチで切断し、プリズムアセンブリを作製する。【選択図】図4
Claim (excerpt):
重ね合わせ面に光学薄膜が介在するように、1枚の厚い透明な第1基板上に1枚以上の薄い透明な第2基板を重ね合わせた積層体ユニットを複数ユニット分重ね合わせ、各々の重ね合わせ面に予め塗布された光硬化型接着剤を光照射により硬化させて基板接合体を作製する第1工程と、
前記基板接合体の各々の重ね合わせ面と一定角度で交差する方向に一定ピッチで切断し、この切断による表裏面に前記第1基板の切断面と前記第2基板の切断面とが層状に露呈した接合基板を作製する第2工程と、
前記第1基板からなる部分の中央を通るように、前記第1基板の切断面に沿って、表面に対して垂直に前記接合基板を切断し、複数の角柱状基板を作製する第3工程と、
前記角柱状基板を長手方向に対して垂直に一定ピッチで切断し、前記第1基板を切断して得られた第1プリズム要素を両端に有し、これらの間に前記第2基板を切断して得られた第2プリズム要素を1以上有するプリズムアセンブリを得る第4工程と、
を備えることを特徴とするプリズムアセンブリの製造方法。
IPC (2):
FI (3):
G11B7/22
, G02B5/04 B
, G02B5/04 F
F-Term (10):
2H042CA06
, 2H042CA14
, 2H042CA15
, 2H042CA16
, 2H042CA17
, 5D789AA32
, 5D789AA38
, 5D789JA18
, 5D789JC03
, 5D789NA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
特許2639312号
-
複合プリズムの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-404126
Applicant:コニカミノルタオプト株式会社
Cited by examiner (5)
-
光学素子およびその製造方法、並びに投写型表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-355210
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
偏光変換素子の製造方法ならびにプロジェクタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-201843
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
複合プリズムの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-404126
Applicant:コニカミノルタオプト株式会社
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