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J-GLOBAL ID：201003070176962571

半導体装置

Inventor：
秋元 健吾

About 秋元 健吾

, 
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009251914
Publication number (International publication number)：2010135770
Application date： Nov. 02, 2009
Publication date： Jun. 17, 2010
Summary：
【課題】酸化物半導体に水分や酸素などの不純物が混入することを防止し、酸化物半導体を用いた半導体装置の半導体特性の変動を抑制することを課題の一とする。または、信頼性に優れた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられた第1の酸化物半導体層と、ソース電極及びドレイン電極と第1の酸化物半導体層との間に設けられたソース領域及びドレイン領域とを有し、第1の酸化物半導体層と接してバリア膜が設けられている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
絶縁表面を有する基板上に設けられたゲート電極層と、 前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられた第1の酸化物半導体層と、 前記ソース電極及びドレイン電極と第1の酸化物半導体層との間に設けられたソース領域及びドレイン領域とを有し、 前記第1の酸化物半導体層と接してバリア膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1)：
H01L 29/786
FI (4)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 616V
F-Term (49)：
5F110AA14 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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