半導体装置及びその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006262991
Publication number (International publication number)：2007123861
Application date： Sep. 27, 2006
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にゲート電極、絶縁膜及び酸化物半導体膜を有し、前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域において一部結晶化された領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/20 , G02F 1/136

FI (6)：

H01L29/78 627G , H01L21/28 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 618Z , H01L21/20 , G02F1/1368

F-Term (138)：

2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA04 , 2H092KA08 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092NA26 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5F152BB01 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152BB04 , 5F152CC01 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CD02 , 5F152CD03 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CE01 , 5F152CE12 , 5F152CE14 , 5F152CE15 , 5F152CE24 , 5F152CE32 , 5F152EE14 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF17 , 5F152FF35 , 5F152FF39 , 5F152FF43 , 5F152FF44 , 5F152FF45 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG03 , 5F152FG13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

トランジスタ及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-326889 Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (10)

薄膜半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-317431 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-282559 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-079273 Applicant：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

熱処理によるZnO薄膜中の結晶欠陥の変化

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