エッチング方法、パターン形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及びエッチング液

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西山恵三 , 内尾裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006328204
Publication number (International publication number)：2008141113
Application date： Dec. 05, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：

【課題】特定のアモルファス酸化物半導体を選択的にエッチングする。【解決手段】ガリウム又は亜鉛の少なくともいずれか一方とインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜のエッチング方法であって、アルカリ性のエッチング液によって前記アモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ガリウム又は亜鉛の少なくともいずれか一方とインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜のエッチング方法であって、アルカリ性のエッチング液によって前記アモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/308 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L21/308 C , H01L29/78 618B , H01L29/78 627C

F-Term (29)：

5F043AA18 , 5F043BB12 , 5F043GG10 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110QQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

薄膜トランジスタ型基板及び薄膜トランジスタ型液晶表示装置及び薄膜トランジスタ型基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-070113 Applicant：出光興産株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-081117 Applicant：カシオ計算機株式会社

Cited by examiner (1)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-081117 Applicant：カシオ計算機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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