Pat
J-GLOBAL ID：201003071912164145

プラズマ処理装置

Inventor：
出尾 晋一

About 出尾 晋一

, 
坂井 裕一

About 坂井 裕一

, 
吉田 幸久

About 吉田 幸久


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009037091
Publication number (International publication number)：2010103455
Application date： Feb. 19, 2009
Publication date： May. 06, 2010
Summary：
【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。【解決手段】第1電極および接地された第2電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第1電極に電力を印可する電源と、第1電極と第2電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第1電極に電力を印加した状態で第1電極と第2電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第1電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第1電極と第2電極との間隙の最小間隙寸法より大である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1電極および接地された第2電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、前記第1電極に電力を印可する電源と、前記第1電極と第2電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、前記電源により前記第1電極に電力を印加して前記第1電極と前記第2電極との間隙に電界を発生させた状態で前記第1電極と前記第2電極との間隙に前記反応ガスを流通させることにより前記反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、前記プラズマ流の前記プラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、 前記第1電極と前記被処理面との間隙の最小間隙寸法が、前記プラズマ発生器において前記プラズマ流を噴出する噴出部近傍における前記第1電極と前記第2電極との間隙の最小間隙寸法より大であること、 を特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/24
FI (4)：
H01L21/205 ,  H01L21/302 101E ,  C23C16/509 ,  H05H1/24
F-Term (33)：
4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA01 ,  4K030KA14 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA14 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004DA24 ,  5F004DB13 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC17 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045BB02 ,  5F045EF08 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM