n型SiC単結晶の製造方法、それによって得られるn型SiC単結晶およびその用途

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 関根宣夫 , 堂垣泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009036905
Publication number (International publication number)：2010189235
Application date： Feb. 19, 2009
Publication date： Sep. 02, 2010
Summary：

【課題】窒素(N)の量を少なくしても比抵抗の小さいn型SiC単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいSiC単結晶およびその用途を提供する。【解決手段】SiC単結晶を結晶成長する際に、n型半導体とするためのドナー元素である窒素(N)とともにガリウム(Ga)を、両元素のatm単位で表示して量であるN(量)およびGa(量)がN(量)>Ga(量)となるようにする。特にSiCに対する窒素(N)およびガリウム(Ga)のatm%単位で表示した各々の添加割合であるNADおよびGaADが、0<NAD≦1.0atm%、0<GaAD≦0.06atm%である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が0.01Ωcm以下、その中でも0.008Ωcm以下のn型SiC単結晶を得ることができる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

SiC単結晶を結晶成長する際に、n型半導体とするためのドナー元素である窒素(N)とともにガリウム(Ga)を、両元素のatm単位で表示して量であるN(量)およびGa(量)がN(量)>Ga(量)となるように添加することを特徴とするn型SiC単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 , C30B 19/04 , H01L 21/208

FI (3)：

C30B29/36 A , C30B19/04 , H01L21/208 D

F-Term (43)：

4G077AA02 , 4G077AB06 , 4G077BE08 , 4G077CG01 , 4G077CG07 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077EC08 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077QA01 , 4G077QA12 , 4G077QA27 , 4G077QA34 , 4G077SA01 , 4G077SA04 , 4G077SA06 , 5F045AA18 , 5F045AB06 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD18 , 5F045AE01 , 5F045AF02 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DA66 , 5F045DP05 , 5F045DQ01 , 5F053AA03 , 5F053AA48 , 5F053BB04 , 5F053BB57 , 5F053DD02 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH02 , 5F053JJ03 , 5F053KK10 , 5F053LL10 , 5F053RR20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-113202 Applicant：セイコーエプソン株式会社
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-355098 Applicant：トヨタ自動車株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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