炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005355098
Publication number (International publication number)：2007153719
Application date： Dec. 08, 2005
Publication date： Jun. 21, 2007
Summary：

【課題】溶液法による、窒素をドーピングした炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、ドーパントとしての窒素を、前記SiとCを含む原料を収容している多孔質ルツボの気孔中に吸着している窒素を供給源として前記融液に供給し、炭化珪素単結晶成長中に窒素をドープする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、ドーパントとしての窒素を、前記SiとCを含む原料を収容している多孔質ルツボの気孔中に吸着している窒素を供給源として前記融液に供給し、炭化珪素単結晶成長中に窒素をドープすることを特徴とする方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 , C30B 9/00

FI (2)：

C30B29/36 A , C30B9/00

F-Term (11)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CC01 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077EB04 , 4G077EG01 , 4G077EG02 , 4G077EJ09 , 4G077HA02 , 4G077HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-301936 Applicant：新日本製鐵株式会社
シリコンカーバイドのエピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-115766 Applicant：新日本無線株式会社
炭化珪素単結晶とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-105567 Applicant：住友金属工業株式会社

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Cited by examiner (5)

シリコンカーバイドのエピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-115766 Applicant：新日本無線株式会社
炭化珪素単結晶とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-105567 Applicant：住友金属工業株式会社
特開平4-300298

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