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J-GLOBAL ID：201003082138330675

磁性膜を用いた信号処理デバイスおよび信号処理方法

Inventor：
中 村 志 保

About 中 村 志 保

, 
森 瀬 博 史

About 森 瀬 博 史


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (4)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009050543
Publication number (International publication number)：2010205975
Application date： Mar. 04, 2009
Publication date： Sep. 16, 2010
Summary：
【課題】低消費電力で、多入力信号の加算処理に優れた信号処理デバイスおよび信号処理方法を提供することを可能にする。【解決手段】少なくとも1層以上の磁性層を含む連続膜10と、連続膜上に、連続膜に直接に接触するかまたは絶縁層を介して接触するように設けられ、前記連続膜との接触面の形状はドット形状であり、入力信号を受けることにより、連続膜との接触面直下の、連続膜の磁性層の領域にスピン波を発生させる複数のスピン波発生部201〜20nと、連続膜上に設けられ、スピン波発生部によって発生されられて連続膜を伝播するスピン波を電気信号として検出する少なくとも1個の信号検出部30と、を備えている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくとも1層以上の磁性層を含む連続膜と、 前記連続膜上に、前記連続膜に直接に接触するかまたは絶縁層を介して接触するように設けられ、前記連続膜との接触面の形状はドット形状であり、入力信号を受けることにより、前記連続膜との接触面直下の、前記連続膜の磁性層の領域にスピン波を発生させる複数のスピン波発生部と、 前記連続膜上に設けられ、前記スピン波発生部によって発生されられて前記連続膜を伝播するスピン波を電気信号として検出する少なくとも1個の信号検出部と、 を備えていることを特徴とする信号処理デバイス。
IPC (2)：
H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (2)：
H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z
F-Term (27)：
5F092AA04 ,  5F092AB01 ,  5F092AB10 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC21 ,  5F092AD23 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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