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J-GLOBAL ID：201003082420706190

ロッド状多孔質シリカ粒子

Inventor：
小菅 勝典

About 小菅 勝典

, 
伊藤 敦夫

About 伊藤 敦夫

, 
李 霞

About 李 霞


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009079589
Publication number (International publication number)：2010228986
Application date： Mar. 27, 2009
Publication date： Oct. 14, 2010
Summary：
【課題】アスペクト比を0.1〜1未満に制御したロッド状多孔質シリカ粒子の工業的な製造技術を提供すると共に、シリカ純成分からなる単分散性に優れた新規なロッド状多孔質シリカ粒子を提供し、それを用いた生体に安全な生体内埋入材料や珪素徐放性薬剤を提供する。【解決手段】透過型及び走査型顕微鏡観察により、ハニカム状に規則配列したメソ孔径3nm以上の一次元チャンネル状細孔が貫通する方向の粒子の長さが0.5μm以下で、この粒子伸張方向に垂直な粒子断面の長さとの比をアスペクト比とする時、アスペクト比が0.1〜1未満のロッド状の形態を有する粒子であって、水分散系における粒度分布ピーク(体積基準)の最大値が10μm以下の範囲に認められる緩い集合体を形成している、シリカ骨格中のSi元素が他金属で置換されていないロッド状シリカ多孔質粒子。上記ロッド状多孔質シリカ粒子を含有する生体内埋入材料及び珪素徐放性薬剤。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
透過型及び走査型顕微鏡観察により、ハニカム状に規則配列したメソ孔径3nm以上の一次元チャンネル状細孔が貫通する方向の粒子の長さが0.5μm以下で、この粒子伸張方向に垂直な粒子断面の長さとの比をアスペクト比とする時、アスペクト比が0.1〜1未満のロッド状の形態を有する粒子であって、水分散系における粒度分布ピーク(体積基準)の最大値が10μm以下の範囲に認められる緩い集合体を形成している、シリカ骨格中のSi元素が他金属で置換されていないことを特長とするロッド状シリカ多孔質粒子。
IPC (4)：
C01B 37/02 ,  A61L 24/00 ,  A61K 47/04 ,  C01B 33/18
FI (4)：
C01B37/02 ,  A61L25/00 A ,  A61K47/04 ,  C01B33/18 Z
F-Term (42)：
4C076AA16 ,  4C076AA22 ,  4C076AA94 ,  4C076DD29 ,  4C076FF16 ,  4C081AB04 ,  4C081AC04 ,  4C081CF131 ,  4C081DA15 ,  4C081DB03 ,  4C081EA12 ,  4G072AA25 ,  4G072BB03 ,  4G072BB15 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072DD08 ,  4G072DD09 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH21 ,  4G072JJ47 ,  4G072RR05 ,  4G072RR19 ,  4G072TT08 ,  4G072UU17 ,  4G072UU30 ,  4G073BA63 ,  4G073BB28 ,  4G073BC02 ,  4G073BD01 ,  4G073BD11 ,  4G073CZ54 ,  4G073GA03 ,  4G073GA11 ,  4G073GA12 ,  4G073GA13 ,  4G073GA14 ,  4G073GA19 ,  4G073GB02 ,  4G073UB32
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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