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J-GLOBAL ID：201003083043501479

発光素子用エピタキシャルウェハおよびその製造方法

Inventor：
竹内 隆

About 竹内 隆

, 
大村 雅一

About 大村 雅一


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008299632
Publication number (International publication number)：2010126372
Application date： Nov. 25, 2008
Publication date： Jun. 10, 2010
Summary：
【課題】高品位で且つ低コストな発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】n型基板2上に、少なくともn型クラッド層6、活性層8、p型クラッド層を順次積層する化合物半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、n型基板2として、ほぼ円形であるn型基板の直径を(a)、n型基板の厚さを(b)としたとき、(b)/(a)が0.0047以下であるn型基板を用いて作製したものである。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
n型基板上に、少なくともn型クラッド層、活性層、p型クラッド層を順次積層する化合物半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、 前記n型基板として、ほぼ円形であるn型基板の直径を(a)、n型基板の厚さを(b)としたとき、(b)/(a)が0.0047以下であるn型基板を用いて作製したことを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェハ。
IPC (6)：
C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/02 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 ,  C23C 16/30
FI (6)：
C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 100 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 502A ,  C23C16/30
F-Term (43)：
4G077AA03 ,  4G077BE41 ,  4G077DB01 ,  4G077DB11 ,  4G077EA04 ,  4G077ED04 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TC01 ,  4G077TC08 ,  4G077TC19 ,  4G077TK02 ,  4G077TK04 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA21 ,  4K030BA25 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CA64 ,  5F041CA98 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AF04 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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