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J-GLOBAL ID：201003084544481474

放熱装置

Inventor： 大年 浩太 ,  河野 栄次 ,  久保 秀人 ,  金原 雅彦 ,  古川 裕一 ,  山内 忍 ,  星野 良一 ,  若林 信弘 ,  中川 信太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田自動織機 ,  昭和電工株式会社
Agent (4)： 日比 紀彦 ,  岸本 瑛之助 ,  渡邊 彰 ,  松村 直都
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010188114
Publication number (International publication number)：2010268008
Application date： Aug. 25, 2010
Publication date： Nov. 25, 2010
Summary：

【課題】材料コストが安く、しかも放熱性能の優れた放熱装置を提供する。【解決手段】放熱装置1は、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板3と、絶縁基板3の他面に固定されたヒートシンク5とを備えている。絶縁基板3における発熱体搭載面とは反対側の面に金属層7を形成する。絶縁基板3の金属層7とヒートシンク5との間に、複数の貫通穴9が形成されたアルミニウム板10からなり、かつ貫通穴9が応力吸収空間となっている応力緩和部材4を介在させる。応力緩和部材4を、絶縁基板3の金属層7およびヒートシンク5にろう付する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板と、絶縁基板の他面に固定されたヒートシンクとを備えた放熱装置において、 絶縁基板における発熱体搭載面とは反対側の面に金属層が形成され、当該金属層とヒートシンクとの間に、高熱伝導性材料からなり、かつ応力吸収空間を有する応力緩和部材が介在させられ、応力緩和部材が、絶縁基板の金属層およびヒートシンクに金属接合されている放熱装置。

IPC (1)：

H01L 23/36

FI (1)：

H01L23/36 D

F-Term (4)：

5F136BC03 ,  5F136BC06 ,  5F136EA14 ,  5F136FA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• パワー半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-033121   Applicant：三菱電機株式会社
• セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-197165   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-108347   Applicant：トヨタ自動車株式会社