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J-GLOBAL ID：201003085384735608

X線タルボ回折格子の製造方法、X線タルボ回折格子、X線タルボ干渉計及びX線位相イメージング装置

Inventor：
服部 正

About 服部 正


Applicant, Patent owner：
株式会社ナノクリエート

About 株式会社ナノクリエート


Agent (1)： 桂川 直己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009029157
Publication number (International publication number)：2010185728
Application date： Feb. 10, 2009
Publication date： Aug. 26, 2010
Summary：
【課題】X線タルボ干渉計に用いる高アスペクト比のX線回折格子を安定的に供給可能な製造方法を提供する。【解決手段】ICP装置において、シリコンからなる基板7に対し、SF6ガスを導入して反応性イオンエッチングにより凹部を形成する。次に、C4F8ガスの導入により、凹部の底面及び側壁面にポリマー膜を保護膜9として堆積する。このエッチング工程と保護膜堆積工程を交互に反復することで、溝16を形成する。次に、ICP装置において酸素ガスを導入することにより、溝16の底面及び側壁面にSiO2膜を電気絶縁膜12として形成する。更にSF6ガスを導入して、反応性イオンエッチングにより、溝16の底面の電気絶縁膜12を除去し、基板7のシリコンを露出させる。次に、この露出したシリコン表面をシード層13として電気メッキを行い、X線吸収金属部を析出させる。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
誘導結合型プラズマ処理装置においてシリコン基板に対してF原子を含むガスによる選択的な反応性イオンエッチングを行うことで凹部を形成するエッチング工程と、誘導結合型プラズマ処理装置においてフルオロカーボン系のガスを導入することによりポリマー膜を前記凹部の底面及び側壁面に保護膜として堆積する保護膜堆積工程と、を交互に反復することで溝を形成する溝形成工程と、 誘導結合型プラズマ処理装置において酸素ガスを導入することにより、前記溝の底面及び側壁面にシリコン酸化膜からなる電気絶縁膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、 誘導結合型プラズマ処理装置においてF原子を含むガスによる反応性イオンエッチングを行うことで、前記電気絶縁膜のうち前記溝の底面に形成されている部分を除去し、当該底面において前記シリコン基板のシリコンを露出させるシリコン露出工程と、 露出した前記シリコンの表面をシード層として電気メッキを行い、前記溝の内部にX線吸収金属部を析出させる電気メッキ工程と、 を含むことを特徴とするX線タルボ回折格子の製造方法。
IPC (4)：
G21K 1/06 ,  H05H 1/46 ,  G21K 1/02 ,  G01N 23/04
FI (6)：
G21K1/06 D ,  H05H1/46 L ,  G21K1/06 B ,  G21K1/06 C ,  G21K1/02 G ,  G01N23/04
F-Term (11)：
2G001AA01 ,  2G001BA11 ,  2G001BA28 ,  2G001CA01 ,  2G001GA06 ,  2G001KA04 ,  2G001LA01 ,  2G088FF02 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ12 ,  2G088JJ37
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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