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J-GLOBAL ID：201003086745481513

半導体ナノ粒子及びその製造方法

Inventor： 平野 覚浩 ,  中村 史夫
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009218681
Publication number (International publication number)：2010105149
Application date： Sep. 24, 2009
Publication date： May. 13, 2010
Summary：

【課題】本発明は発光特性に優れた半導体ナノ粒子を安価かつ簡便に得ることができる製造方法を提供することを目的の一つとする。【解決手段】金属塩として少なくとも周期表第11族元素及び周期表第13族元素の塩、ならびに周期表第16族元素を配位元素とする配位子を混合する工程と、前記混合工程により得られた混合物を少なくとも1気圧より高い圧力条件下で脂溶性化合物と共に加熱する工程を含む半導体ナノ粒子の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

金属塩として少なくとも周期表第11族元素及び周期表第13族元素の塩、ならびに周期表第16族元素を配位元素とする配位子を混合し、該混合物を少なくとも1気圧より高い圧力条件下で脂溶性化合物と共に加熱する工程Aを含むことを特徴とする、半導体ナノ粒子の製造方法。

IPC (4)：

B82B 3/00 ,  C09K 11/62 ,  B82B 1/00 ,  C09K 11/08

FI (5)：

B82B3/00 ,  C09K11/62 ,  B82B1/00 ,  C09K11/08 G ,  C09K11/08 A

F-Term (12)：

4H001CA02 ,  4H001CC07 ,  4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA29 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA34 ,  4H001XA47 ,  4H001XA49 ,  4H001XA79 ,  4H001XA81

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体蛍光体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-370937   Applicant：京セラ株式会社
• 蛍光体、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-304592   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Synthesis and Characterization of Colloidal CuInS2 Nanoparticles from a Molecular Single-Source Pre