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J-GLOBAL ID：200903059419408999
蛍光体、及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
富崎 元成
, 円城寺 貞夫
, 町田 光信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006304592
Publication number (International publication number)：2007169605
Application date： Nov. 09, 2006
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：
【課題】本発明は、低毒性、高い量子収率の蛍光体、及びその製造方法を提供する。 【解決手段】蛍光体は、カルコパイライト構造を有するI-III-VI族の元素それぞれ1つからなる化合物で、粒子径は0.5〜20.0nm、量子収率が室温で3%以上30%以下である。 銅(I)塩とインジウム(III)塩を、銅(I)及びインジウム(III)に配位する錯化剤を添加した溶液に溶解させて混合した第1溶液(A溶液)と、硫黄化合物を溶解させた第2溶液(C溶液)を混合し、所定期間熟成させて前処理した後に、所定の加熱条件で加熱処理する溶解させた第2溶液(C溶液)とを混合し、所定の合成条件で熱処理して製造する。更に、この製造方法で製造された生成物をZnSe、ZnS等との複合化処理を行うことにより、量子収率の向上を図った。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
カルコパイライト構造を有するI-III-VI族の元素それぞれ1種の元素からなる第1化合物であって、
前記第1化合物からなる粒子は、外径が0.5〜20.0nmで、励起光によって励起される光波を発する蛍光量子収率が室温で3.0%以上20.0%以下である
ことを特徴とする蛍光体。
IPC (4)：
C09K 11/62
, C09K 11/88
, C09K 11/56
, C09K 11/08
C09K11/62
, C09K11/88
, C09K11/56
, C09K11/08 J
, C09K11/08 A
4H001CA02
, 4H001CA05
, 4H001CF01
, 4H001XA16
, 4H001XA29
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA34
, 4H001XA47
, 4H001XA49
Cited by applicant (2)
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半導体ナノ結晶の生物学的用途
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2000-571252
Applicant：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
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蛍光体、及びその製造方法
Gazette classification：再公表公報
Application number：JP2005013185
Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 国立大学法人大阪大学
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
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