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J-GLOBAL ID：201003088272599824

成膜装置及び成膜方法

Inventor：
中村 誠吾

About 中村 誠吾


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009070674
Publication number (International publication number)：2010225792
Application date： Mar. 23, 2009
Publication date： Oct. 07, 2010
Summary：
【課題】経時変化に伴う劣化が少ない膜を気相化学成長によって高速で形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】互いに異なる原料ガスが供給され、該供給された原料ガスをそれぞれ異なる分解手法によって選択的に分解することにより、膜の形成に寄与する成膜前駆体をそれぞれ生成させる複数の分解室10,20と、前記複数の分解室がそれぞれ独立して連結されており、内部に基板が配置される成膜室30と、を備え、前記複数の分解室でそれぞれ生成した前記成膜前駆体を含むガスを前記成膜室の内部に配置された基板40にそれぞれ供給することにより、該基板の表面に膜を形成することを特徴とする成膜装置1。好ましくは、SiH4を含む第1の原料ガスと、NH3を含む第2の原料ガスをそれぞれ供給して窒化シリコン膜を形成する。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
互いに異なる原料ガスが供給され、該供給された原料ガスをそれぞれ異なる分解手法によって選択的に分解することにより、膜の形成に寄与する成膜前駆体をそれぞれ生成させる複数の分解室と、 前記複数の分解室がそれぞれ独立して連結されており、内部に基板が配置される成膜室と、を備え、 前記複数の分解室でそれぞれ生成した前記成膜前駆体を含むガスを前記成膜室の内部に配置された基板にそれぞれ供給することにより、該基板の表面に膜を形成することを特徴とする成膜装置。
IPC (3)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/452
FI (3)：
H01L21/31 C ,  H01L21/318 B ,  C23C16/452
F-Term (36)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030FA07 ,  4K030FA17 ,  4K030JA06 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA18 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AA11 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045DP03 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EH20 ,  5F045GB07 ,  5F045GB15 ,  5F058BC08 ,  5F058BF05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF08 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BF39
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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