Pat
J-GLOBAL ID:201003089228447711
半導体装置の製造方法および基板処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
油井 透
, 阿仁屋 節雄
, 清野 仁
, 福岡 昌浩
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008283971
Publication number (International publication number):2010050425
Application date: Nov. 05, 2008
Publication date: Mar. 04, 2010
Summary:
【課題】膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に改質する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う。【選択図】図4
Claim (excerpt):
基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、
前記処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、前記所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、
前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記窒化層を酸化層または酸窒化層に改質する工程と、
を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3):
H01L 21/318
, H01L 21/31
, C23C 16/40
FI (3):
H01L21/318 C
, H01L21/31 C
, C23C16/40
F-Term (46):
4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA10
, 4K030AA13
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030AA24
, 4K030BA42
, 4K030BA43
, 4K030BA44
, 4K030BA46
, 4K030BA48
, 4K030CA04
, 4K030FA03
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 5F045AA08
, 5F045AB34
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045AE23
, 5F045BB07
, 5F045DC52
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045EH18
, 5F045EK06
, 5F058BD02
, 5F058BD04
, 5F058BD10
, 5F058BD15
, 5F058BF07
, 5F058BF24
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BF37
, 5F058BF62
, 5F058BF74
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
半導体素子のキャパシタ製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-341904
Applicant:現代電子産業株式会社
-
絶縁膜の改質方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-154812
Applicant:東京エレクトロン株式会社
Return to Previous Page