半導体素子のキャパシタ製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三枝英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000341904
Publication number (International publication number)：2001203339
Application date： Nov. 09, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】誘電体膜としてのTa2O5薄膜において、酸素空孔と不純物に起因する問題点を解決するとともに、高容量を得ることができる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供することを主な目的とする。【解決手段】誘電体膜として(Ta2O5)1-x・(TiO2)x薄膜を形成させることにより、高容量の半導体素子のキャパシタを製造する。

Claim (excerpt)：

所定の下部パターン等が形成され、前記下部パターンを覆うよう層間絶縁膜が形成された半導体基板を提供する段階;前記層間絶縁膜上に下部電極を形成する段階;前記下部電極上に(Ta2O5)1-x・(Ti O2)x薄膜を非晶質状態で蒸着する段階;前記非晶質(Ta2O5)1-x・(TiO2)x薄膜を低温アニーリングする段階;誘電体膜として結晶質の(Ta2O5)1-x・(TiO2)x薄膜を形成させるために、前記低温アニーリングされた非晶質(Ta2O5)1-x・(TiO2)x薄膜を高温アニーリングする段階;及び前記(Ta2O5)1-x・(TiO2)x薄膜上に上部電極を形成する段階を含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタ製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (4)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

誘電体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-235569 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置のキャパシタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-048791 Applicant：沖電気工業株式会社
キャパシタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-316264 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

Show all

Return to Previous Page