Pat

J-GLOBAL ID：200903077268494942

絶縁膜の改質方法

Inventor： 菅原 卓也 ,  多田 吉秀 ,  中村 源志 ,  尾▲崎▼ 成則 ,  中西 敏雄 ,  佐々木 勝 ,  松山 征嗣 ,  長谷部 一秀 ,  中島 滋 ,  藤原 友紀
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  吉井 一男 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003154812
Publication number (International publication number)：2004356528
Application date： May. 30, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】MOSFETのゲート絶縁膜やメモリーデバイスに用いられる容量の電極間絶縁膜中に含まれるカーボン、サブオキサイド、ダングリングボンド等に起因する特性劣化を改善し、絶縁膜の特性を向上させる方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理による改質のみ、熱アニール処理のみによる改質による効果を向上する為に、希ガスと酸素原子を含む処理ガスに基ずくプラズマを用いて、絶縁膜にプラズマ処理と熱アニール処理を組み合わせた改質処理を施すことで、該絶縁膜を改質する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

電子デバイス用基材表面上に成膜された絶縁膜を改質する方法であって、前記改質方法は、希ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを該絶縁膜に照射する工程と、該絶縁膜に熱アニールを施す工程とを組み合わせることにより形成されることを特徴とする基板処理方法。

IPC (4)：

H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78

FI (3)：

H01L21/316 P ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/10 651

F-Term (59)：

5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF11 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD01 ,  5F083AD11 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083PR33 ,  5F140AA02 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140AB09 ,  5F140AC01 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD20 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB02 ,  5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• タンタル酸化物膜を絶縁膜として有するキャパシタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-151395   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 高誘電率膜の電気的特性を改善するための方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-081511   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-246882   Applicant：株式会社東芝
• 高誘電体キャパシタ、半導体装置、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-341938   Applicant：富士通株式会社
• 金属酸化膜の改質方法、金属酸化膜の成膜方法及び熱処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-026170   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-130249   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体素子のキャパシタ製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-090328   Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター

Cited by examiner (7)

• 金属酸化膜の改質方法、金属酸化膜の成膜方法及び熱処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-026170   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• タンタル酸化物膜を絶縁膜として有するキャパシタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-151395   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 高誘電率膜の電気的特性を改善するための方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-081511   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-130249   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体素子のキャパシタ製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-090328   Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-246882   Applicant：株式会社東芝
• 高誘電体キャパシタ、半導体装置、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-341938   Applicant：富士通株式会社