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J-GLOBAL ID：201003089978322384

窒化物半導体レーザ

Inventor：
川島 祥一

About 川島 祥一

, 
長友 靖浩

About 長友 靖浩


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (2)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009079399
Publication number (International publication number)：2010232488
Application date： Mar. 27, 2009
Publication date： Oct. 14, 2010
Summary：
【課題】 抵抗率の高いp型AlGaNをクラッド層として用いる必要がなく、かつ、p型電極による吸収損失を抑制した新規な窒化物半導体レーザの提供を目的とする。【解決手段】 面内方向に共振モードを有する2次元フォトニック結晶層103を備えた窒化物半導体の面発光レーザ100であって、活性層104と、2次元フォトニック結晶層103と、半導体層106と、電極105とがこの順で設けられている2次元フォトニック結晶層103の高屈折率媒質101はp型伝導性のInxGa1-xN(0≦x≦1)である。また、半導体層106はp型伝導性のInyGa1-yN(0≦y≦1)である。2次元フォトニック結晶層103の厚さtPhCは発振波長λと、共振モードの実効屈折率neffによって記述される関係式tPhC≧(λ/neff)を満足する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
面内方向に共振モードを有する2次元フォトニック結晶層を備えた窒化物半導体の面発光レーザであって、 活性層と、前記2次元フォトニック結晶層と、半導体層と、電極とがこの順で設けられており、 前記2次元フォトニック結晶層の高屈折率媒質はp型伝導性のInxGa1-xN(0≦x≦1)であり、 前記半導体層はp型伝導性のInyGa1-yN(0≦y≦1)であり、 前記2次元フォトニック結晶層の厚さtPhCは、発振波長λと、共振モードの実効屈折率neffによって記述される関係式tPhC≧(λ/neff)を満足することを特徴とする面発光レーザ。
IPC (2)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01S5/183 ,  H01S5/343 610
F-Term (4)：
5F173AC70 ,  5F173AH22 ,  5F173AR26 ,  5F173AR64
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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