カーボンナノチューブ作製装置、カーボンナノチューブ作製方法、および、ラジカル作製装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008171578
Publication number (International publication number)：2010006678
Application date： Jun. 30, 2008
Publication date： Jan. 14, 2010
Summary：

【課題】広い温度範囲、特に低温において高品質なカーボンナノチューブを作製することができるカーボンナノチューブ作製装置、カーボンナノチューブ作製方法、および、ラジカルを作製することができるラジカル作製装置を提供すること。【解決手段】ガスからイオン、ラジカル、および、電子からなるプラズマを生成するプラズマ生成部2と、ラジカルからカーボンナノチューブを作製する成長基板保持部5と、プラズマ生成部2と成長基板保持部5との間に設けられ、イオンおよび電子の成長基板保持部5への進入を防止する多段荷電粒子遮蔽電極部3と、多段荷電粒子遮蔽電極部3に電圧を印加するバイアス印加用電源4と、を備え、多段荷電粒子遮蔽電極部3は、開口部14を備える第1遮蔽電極部11、開口部15を備える第2遮蔽電極部12、および、開口部16を備える第3遮蔽電極部13を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ガスからイオン、ラジカル、および、電子からなるプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記ラジカルからカーボンナノチューブを作製するカーボンナノチューブ作製手段と、前記プラズマ生成手段と前記カーボンナノチューブ作製手段との間に設けられ、前記イオンおよび前記電子の前記カーボンナノチューブ作製手段への進入を防止する遮蔽電極手段と、前記遮蔽電極手段に電圧を印加するバイアス印加手段と、を備え、前記遮蔽電極手段は、少なくとも1つの開口部を備える第1の遮蔽電極を2段以上備えること、を特徴とするカーボンナノチューブ作製装置。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (10)：

4G146AA11 , 4G146BA12 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4G146DA33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-210551 Applicant：株式会社アルバック
カーボンナノチューブ形成装置、カーボンナノチューブ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-224097 Applicant：国立大学法人大阪大学, 独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社アルバック
プラズマCVD装置及びプラズマCVD方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-255299 Applicant：株式会社アルバック

Cited by examiner (3)

プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-210551 Applicant：株式会社アルバック
カーボンナノチューブ形成装置、カーボンナノチューブ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-224097 Applicant：国立大学法人大阪大学, 独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社アルバック
プラズマCVD装置及びプラズマCVD方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-255299 Applicant：株式会社アルバック

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