プラズマCVD装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：大森純一 , 折居章 , 飯阪泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006210551
Publication number (International publication number)：2008038164
Application date： Aug. 02, 2006
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：

【課題】プラズマによる基板表面のエッチングを抑えつつ、カーボンナノチューブの成長速度の向上を図ることができるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】本発明に係るプラズマCVD装置11は、プラズマPの発生空間と基板ステージ14との間に複数枚のメッシュ状の遮蔽板18(18A,18B)を設置することにより、遮蔽板18を介してのプラズマPからのイオンの漏れ出しを防止するようにしている。これにより、基板Wを遮蔽板18に近づけてもイオンによる基板表面のエッチングを防ぐことができ、基板Wへ到達するラジカル量を増加させて成膜レートの向上を図ることが可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

処理室を形成する真空槽と、前記処理室に設置された基板ステージと、前記処理室に原料ガスを導入するガス導入手段と、前記原料ガスを分解するプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、プラズマ発生空間と前記基板ステージとの間に設置された複数枚のメッシュ状の遮蔽板とを備えたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2)：

C23C 16/511 , C01B 31/02

FI (2)：

C23C16/511 , C01B31/02 101F

F-Term (22)：

4G146AA11 , 4G146AB07 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC09 , 4G146BC16 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC27 , 4G146BC32B , 4G146BC38B , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4G146DA33 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030CA17 , 4K030FA01 , 4K030JA10 , 4K030KA12 , 4K030KA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

カーボンナノチューブの作製方法及びその方法を実施するプラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-132893 Applicant：株式会社アルバック

Cited by examiner (9)

プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-331925 Applicant：ソニー株式会社
カーボンナノチューブの作製方法及びその方法を実施するプラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-132893 Applicant：株式会社アルバック
プラズマ計測用プローブ及びこれを用いたプラズマ計測方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-157438 Applicant：ソニー株式会社

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