プラズマCVD装置及びプラズマCVD方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人エクシオ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006255299
Publication number (International publication number)：2008075122
Application date： Sep. 21, 2006
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：

【課題】プラズマCVD装置及びプラズマCVD方法を用いて、被処理基板の全表面にカーボンナノチューブを気相成長させる。【解決手段】真空チャンバー内11に、基板ステージ14と、プラズマ発生手段と、メッシュ状の遮蔽部材15であって、基板ステージと同一形状かつ同一面積、又は基板ステージと同一形状かつ基板ステージより小面積の遮蔽部材15とを設けたプラズマCVD装置1を用いて、プラズマ発生領域と被処理基板との間に、真空チャンバー11内に発生したプラズマを遮蔽部材15で遮蔽しながら、プラズマにより解離された原料ガスを基板ステージ14上の被処理基板Sに接触させて被処理基板Sの全表面にカーボンナノチューブを気相成長させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空チャンバー内に、基板ステージと、プラズマ発生手段とを設け、プラズマにより解離された原料ガスを基板ステージ上の被処理基板に接触させてカーボンナノチューブを成長させるプラズマCVD装置において、プラズマ発生領域と基板ステージとの間に、メッシュ状の遮蔽部材であって、基板ステージと同一形状かつ同一面積、又は基板ステージと同一形状かつ基板ステージより小面積の遮蔽部材を設け、真空チャンバー内に発生したプラズマが被処理基板に接触しないようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/511 , C01B 31/02 , H01J 37/32

FI (3)：

C23C16/511 , C01B31/02 101F , H01J37/32

F-Term (18)：

4G146AA11 , 4G146AB06 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4G146DA28 , 4G146DA47 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030FA01 , 4K030KA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

垂直配向カーボンナノチューブの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-221708 Applicant：日本真空技術株式会社
カーボンナノチューブの作製装置および作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-008259 Applicant：学校法人東海大学, 株式会社エイコー・エンジニアリング
高配向カーボンナノチューブの生成方法、及び高配向カーボンナノチューブの生成に適した装置。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-022748 Applicant：財団法人新産業創造研究機構

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