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J-GLOBAL ID：201003095846071285

半導体素子

Inventor： 財 満 康太郎 ,  橋 本 玲 ,  江 崎 瑞 仙 ,  西 岡 政 雄 ,  荒 川 泰 彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (4)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009071695
Publication number (International publication number)：2010225870
Application date： Mar. 24, 2009
Publication date： Oct. 07, 2010
Summary：

【課題】Si基板上に高品質なSb系結晶を成長させた半導体素子を提供することを可能にする。【解決手段】本発明の一態様による半導体素子は、Si基板11上に設けられ、Sbと、Sb以外のV族元素を含み、膜厚が1nm以上200nm以下の、第1の層12と、第1の層上に設けられSbを含む第2の層13と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si基板上に設けられ、Sbと、Sb以外のV族元素を含み、膜厚が1nm以上200nm以下の、第1の層と、 前記第1の層上に設けられSbを含む第2の層と、 を備えていることを特徴とする半導体素子。

IPC (7)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/30 ,  H01L 31/10 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (5)：

H01S5/323 ,  H01L33/00 184 ,  H01L31/10 A ,  H01L29/80 H ,  H01L21/205

F-Term (51)：

5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045AF05 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F045EE02 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049PA04 ,  5F049QA18 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F173AA01 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AF15 ,  5F173AG12 ,  5F173AH28 ,  5F173AH48 ,  5F173AP06 ,  5F173AP24 ,  5F173AQ16 ,  5F173AR23 ,  5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• カラー半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-083512   Applicant：シャープ株式会社
• Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-314912   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• InGaAs電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-105592   Applicant：旭化成工業株式会社