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J-GLOBAL ID：201003096658681234

垂直交換バイアスを有する膜デバイス

Inventor：
アンブローズ、トーマス、エフ.

About アンブローズ、トーマス、エフ.

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クレマー、ティモシー、ジェイ.

About クレマー、ティモシー、ジェイ.

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ヴァン、デ ヴェールドンク、レネ、ジェイ.、エム.

About ヴァン、デ ヴェールドンク、レネ、ジェイ.、エム.

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パーカー、グレゴリー、ジェイ.

About パーカー、グレゴリー、ジェイ.

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ハワード、ジェイムズ、ケイ.

About ハワード、ジェイムズ、ケイ.


Applicant, Patent owner：
シーゲイト テクノロジー エルエルシー

About シーゲイト テクノロジー エルエルシー


Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  白江 克則 ,  吉田 裕
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010053111
Publication number (International publication number)：2010192907
Application date： Mar. 10, 2010
Publication date： Sep. 02, 2010
Summary：
【課題】磁界検出に使用できる垂直交換バイアス・デバイスの提供。【解決手段】垂直交換バイアス・デバイス10が、基板12の表面上のバッファ材料層14と、バッファ材料層表面上の強磁性材料層18と、強磁性材料層表面上の反強磁性材料層22とを含み、前記強磁性材料層の磁化が強磁性材料層の面に対し垂直方向に向けられている。また垂直交換バイアス・デバイスを作製する方法は、基板表面上にバッファ材料層を形成する段階と、バッファ材料層表面上に強磁性材料層を形成する段階と、強磁性材料層表面上に反強磁性材料層を形成する段階とを含み、しかも強磁性材料層の磁化は強磁性材料層の面に対して垂直方向に向けられている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
垂直交換バイアス・デバイス(10)において、 基板(12)の表面上のバッファ材料層(14)と、 前記バッファ材料層(14)の表面上の強磁性材料層(18)であって、該強磁性材料層の磁化が、強磁性材料層面に対し垂直方向に向いている強磁性材料層(18)と、 前記強磁性材料層の表面上の反強磁性材料層(22)とを含む垂直交換バイアス・デバイス。
IPC (5)：
H01F 10/32 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/26 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (5)：
H01F10/32 ,  H01F10/14 ,  H01F10/26 ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 Z
F-Term (13)：
5D034BA05 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049BA16 ,  5E049FC10 ,  5F092AB02 ,  5F092AC04 ,  5F092AD23 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092CA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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