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J-GLOBAL ID：200903028076719672

磁気抵抗効果膜及びその製造方法

Inventor：
近藤 卓

About 近藤 卓


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： ▲柳▼川 信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998254474
Publication number (International publication number)：2000091665
Application date： Sep. 09, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：
【要約】【課題】 磁性層間に反強磁性相互作用が働く人工格子膜の磁気抵抗比を下げることなく、飽和磁場を下げて磁場感度を上げること。【解決手段】 磁性層3を単結晶化する。磁性層3を単結晶化したとき結晶磁気異方性により薄膜面内に4回対称の立方磁気異方性が生じる。その薄膜面内の磁化容易軸方向に磁場を印加することにより、磁化の飽和する磁場が最小となる。この単結晶化した磁性薄膜3と非磁性金属薄膜4を交互に積層して人工格子膜5を形成することによって、磁気抵抗比の飽和磁場を下げることができる。又、磁気抵抗比は磁性層3の種類によって決まり、磁性層3の結晶性が変わっても変化しない。従って、磁気抵抗比が下がることもない。
Claim (excerpt)：
磁性層と非磁性層とを交互に積層させた人工格子膜を含む磁気抵抗効果膜であって、前記磁性層は単結晶化された磁性層で形成されることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/30 ,  H01L 43/12
FI (4)：
H01L 43/08 Z ,  H01F 10/08 A ,  H01F 41/18 A ,  H01L 43/12
F-Term (8)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC00 ,  5E049AC03 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049EB06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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