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J-GLOBAL ID：201003099993938117

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Inventor：
▲ひろせ▼ 義朗

About ▲ひろせ▼ 義朗

, 
高澤 裕真

About 高澤 裕真

, 
加藤 智秀

About 加藤 智秀

, 
赤江 尚徳

About 赤江 尚徳


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (4)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008224224
Publication number (International publication number)：2010062230
Application date： Sep. 02, 2008
Publication date： Mar. 18, 2010
Summary：
【課題】 化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。【解決手段】 CVD反応が生じる条件下で基板に対してジクロロシランを供給して、基板上に数原子層以下のシリコン膜を形成する工程と、ノンプラズマの雰囲気下で基板に対してアンモニアを供給して、シリコン膜のアンモニアによる窒化反応が飽和しない条件下でシリコン膜を熱窒化する工程と、を交互に繰り返すことで、化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ジクロロシランとアンモニアとを用いて処理室内で基板上に窒化シリコン膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記窒化シリコン膜を形成する工程では、 CVD反応が生じる条件下で基板に対してジクロロシランを供給して、基板上に数原子層以下のシリコン膜を形成する工程と、 ノンプラズマの雰囲気下で基板に対してアンモニアを供給して、前記シリコン膜のアンモニアによる窒化反応が飽和しない条件下で前記シリコン膜を熱窒化する工程と、 を交互に繰り返すことで、化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/56
FI (3)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 B ,  C23C16/56
F-Term (36)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045BB04 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE12 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EK06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-256575   Applicant：株式会社日立国際電気
Cited by examiner (3)

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