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J-GLOBAL ID：201102202212826903   Reference number：11A1514628

Trapping of a photoexcited electron by a donor in nanometer-scale phosphorus-doped silicon-on-insulator field-effect transistors

ナノメートルスケールのリンドープ絶縁体上シリコン電界効果トランジスタに於けるドナーによる光励起電子の捕獲

Author (4)： UDHIARTO Arief (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  MORARU Daniel (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  MIZUNO Takeshi (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  TABE Michiharu (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 99  Issue： 11  Page： 113108  Publication year： Sep. 12, 2011 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *FET ,  *doping ,  phosphorus ,  donor ,  *optical pumping ,  *electron capture ,  electric current ,  electron
Semi thesaurus term： tunnel current ,  single electron

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： ナノメートルスケール ,  絶縁体 ,  シリコン ,  電界効果トランジスタ ,  ドナー ,  光励起 ,  電子 ,  捕獲