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J-GLOBAL ID：201102209441540430   Reference number：11A1313924

高効率電力変換用SiCパワーデバイス

Author (1)： KIMOTO TSUNENOBU (京大 大学院工学研究科)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 80  Issue： 8  Page： 673-678  Publication year： Aug. 10, 2011 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *semiconductor device ,  switching ,  Schottky barrier diode ,  MOSFET ,  power transistor ,  crystal growth ,  band gap ,  power converter ,  power electronics
Semi thesaurus term： *power device

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (47)：

• BHATNAGAR, M. IEEE Trans. Electron Devices. 1993, 40, 645
• MATSUNAMI, H. Mat. Sci. Eng. R. 1997, 20, 125
• OKUMURA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 7565
• KIMOTO, T. Tech. Digests 2010 VLSI Technology Symp., Honolulu. 2010, 9
• 赤崎勇編著. III族窒化物半導体. 1999

Terms in the title (3)： 高効率 ,  電力変換 ,  SiCパワーデバイス